宏微科技“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)-技術(shù)開(kāi)發(fā)類一等獎(jiǎng)

2015年11月6-9號(hào)，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)主辦的“中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十一屆學(xué)術(shù)年會(huì)”在深圳成功舉辦。此次會(huì)議上，宏微科技申報(bào)的“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”喜獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科技進(jìn)步獎(jiǎng)-技術(shù)開(kāi)發(fā)類一等獎(jiǎng)。

中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)是為表彰在中國(guó)電源領(lǐng)域的科學(xué)研究、技術(shù)創(chuàng)新、新品開(kāi)發(fā)、科技成果的推廣和應(yīng)用等方面做出突出貢獻(xiàn)的個(gè)人和單位。宏微科技獲此殊榮，是中國(guó)電源學(xué)會(huì)和我國(guó)電源行業(yè)對(duì)宏微科技在自產(chǎn)IGBT芯片開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得成績(jī)的充分肯定和鼓勵(lì)。宏微科技將一如既往，繼續(xù)努力，為打破進(jìn)口品牌IGBT長(zhǎng)期壟斷局面做出貢獻(xiàn)，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)化的快速發(fā)展，不辜負(fù)廣大電源用戶和功率半導(dǎo)體器件界朋友的期待。

兩年一屆的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)是中國(guó)電源界規(guī)模最大、級(jí)別最高的電源學(xué)術(shù)盛會(huì)，已有30多年歷史，在電源界具有廣泛影響。會(huì)議匯聚國(guó)內(nèi)外電源界知名學(xué)者、企業(yè)和政府部門(mén)的高層人士以及在校研究生等專業(yè)人士，通過(guò)大會(huì)報(bào)告、分會(huì)場(chǎng)報(bào)告、張貼論文等形式，總結(jié)交流電源技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果，展示目前電源技術(shù)的發(fā)展水平，探討今后的發(fā)展方向，促進(jìn)中國(guó)電源產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步。